10A/500V MCT器件的研制

编号 zgly0000320471

文献类型 期刊论文

文献题名 10A/500V MCT器件的研制

作者 张发生  陈治明 

作者单位 中南林学院电子信息工程学院  西安理工大学自动化学院 

母体文献 世界电子元器件 

年卷期 2003,(9)

页码 36-37,42

年份 2003 

分类号 TN34 

关键词 MOS控制晶闸管  功率器件  结构设计  工艺流程  工作原理  电学参数设置 

文摘内容 本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法。西安徽电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品。测试结果表明, 其在20V的栅压下能在4μs内关断50A/cm^2的阴极电流。