氧掺杂(9, 0)型BC2N纳米管的电子结构与性质

编号 zgly0000810891

文献类型 期刊论文

文献题名 氧掺杂(9, 0)型BC2N纳米管的电子结构与性质

作者 孙苗  薛子成  吴宫莲  张辉  张桂玲  刘波 

作者单位 绿色化工技术黑龙江省教育厅重点实验室哈尔滨理工大学 

母体文献 东北林业大学学报 

年卷期 2013(6)

页码 149-153

年份 2013 

分类号 O641 

关键词 BC2N纳米管  O掺杂  密度泛函理论  结构和电子性质 

文摘内容 基于密度泛函理论的第一性原理方法.对单个氧原子(O)化学置换掺杂在锯齿形(zigzag)(9, 0)BC, NNTs进行了研究。结果显示O掺杂在B位(OB)和第二个C位(Ocu)时, 结构发生很明显的形变; 而在ON和OCI.掺杂BC2N纳米管的情况下, 产生的形变几乎可以忽略。形成能的研究结果表明, ON掺杂的体系在B—rich的条件下是最为稳定的。OB掺杂(9, 0)BC, NNTs的电子能带结构表明其显示受体的性质, 而ON掺杂(9, 0)BC, NNTs的导带位于Fermi能级处显示金属的性质。对于OC掺杂(9, 0)Bc, NNTs的情况, OCI和OCII掺杂(9, 0)BC2NNTs分别为间接带隙半导体和直接带隙半导体。